Transistorer

C(tum): 1220pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 830pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 208 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 43W. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 135 ns. Td(på): 15 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 480pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 54 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 0.042 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 543pF. Kostnad): 54pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 642 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 39W. Resistans Rds På: 4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 22.5 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 13nC, låg Crss 5,5pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 740pF. Kostnad): 65pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 47W. Resistans Rds På: 3.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 480pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 263 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 1.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 18nC, låg Crss 15pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 515pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 33W. Resistans Rds På: 2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 15nC, låg Crss 6,5pF. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 56W. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 40nC), låg Crss 10pF. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3170pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 62W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQPF8N60C. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 45 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1255pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 81 ns. Td(på): 16.5 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1

C(tum): 1580pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 690 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Produktionsdatum: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 59W. Resistans Rds På: 1.29 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 790pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 44W. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 93 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: +55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 28nC, låg Crss 24pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2100pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 68W. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 40nC, låg Crss 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 130pF. Kostnad): 19pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FQT1N60C. Pd (effektförlust, max): 2.1W. Resistans Rds På: 9.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 13 ns. Td(på): 7 ns. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 240pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 90 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 3.4A. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 2.2W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 7 ns. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Kostnad): 36pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 420pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 83 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: DMOS POWER-MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 480pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 54 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: låg grindladdning (typ 9.5nC). G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1500pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. IDss (min): na. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Pd (effektförlust, max): 65W. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ifsm--30App. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Funktion: Höghastighetsväxling

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Funktion: Höghastighetsväxling

C(tum): 5300pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Märkning på höljet: FS75R12KE3G. Mått: 122x62x17.5mm. Pd (effektförlust, max): 355W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42us. Td(på): 26us. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Antal terminaler: 35. obs: 6x IGBT+ CE Diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1380pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 1.54 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 180 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 74pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 1790A. Ic(puls): 2400A. Ic(T=100°C): 1200A. Pd (effektförlust, max): 7150W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.92 ns. Td(på): 0.41 ns. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Tröskelspänning Vf (max): 2.35V. Framspänning Vf (min): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. Antal terminaler: 7. Funktion: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZT458. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 0.3A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C