FQU20N06L

FQU20N06L. C(tum): 480pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 54 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: låg grindladdning (typ 9.5nC). G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 06:25.