FQPF85N06

FQPF85N06. C(tum): 3170pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 62W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.