Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

FQPF19N20

FQPF19N20
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 27.11kr 33.89kr
5 - 9 25.75kr 32.19kr
10 - 21 24.40kr 30.50kr
Kvantitet U.P
1 - 4 27.11kr 33.89kr
5 - 9 25.75kr 32.19kr
10 - 21 24.40kr 30.50kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 21
Set med 1

FQPF19N20. C(tum): 1220pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 97
FQPF19N20C

FQPF19N20C

C(tum): 830pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 208 ns. Typ av transistor: MOSFET. Fun...
FQPF19N20C
C(tum): 830pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 208 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 43W. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 135 ns. Td(på): 15 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQPF19N20C
C(tum): 830pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 208 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 43W. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 135 ns. Td(på): 15 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
34.96kr moms incl.
(27.97kr exkl. moms)
34.96kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.