FQPF19N20C

FQPF19N20C. C(tum): 830pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 208 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 43W. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 135 ns. Td(på): 15 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.