Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 65.35kr | 81.69kr |
5 - 9 | 62.08kr | 77.60kr |
10 - 18 | 58.81kr | 73.51kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 65.35kr | 81.69kr |
5 - 9 | 62.08kr | 77.60kr |
10 - 18 | 58.81kr | 73.51kr |
FQPF8N60C. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQPF8N60C. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 45 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1255pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 81 ns. Td(på): 16.5 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.