FQPF7N80C

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	56.49kr	70.61kr
5 - 9	53.67kr	67.09kr
10 - 24	50.84kr	63.55kr
25 - 49	48.02kr	60.03kr
50 - 72	46.89kr	58.61kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	56.49kr	70.61kr
5 - 9	53.67kr	67.09kr
10 - 24	50.84kr	63.55kr
25 - 49	48.02kr	60.03kr
50 - 72	46.89kr	58.61kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 72

Set med 1

FQPF7N80C. C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 56W. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 40nC), låg Crss 10pF. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!