Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C

N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 56.49kr 70.61kr
5 - 9 53.67kr 67.09kr
10 - 24 51.97kr 64.96kr
25 - 49 49.71kr 62.14kr
50 - 67 48.02kr 60.03kr
Kvantitet U.P
1 - 4 56.49kr 70.61kr
5 - 9 53.67kr 67.09kr
10 - 24 51.97kr 64.96kr
25 - 49 49.71kr 62.14kr
50 - 67 48.02kr 60.03kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 67
Set med 1

N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C. N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 56W. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 40nC), låg Crss 10pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 20:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.