N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C

N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C. N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 56W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 40nC), låg Crss 10pF. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 09:25.