FQU11P06

FQU11P06. C(tum): 420pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 83 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: DMOS POWER-MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.