Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

FS75R12KE3GBOSA1

FS75R12KE3GBOSA1
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 2,769.92kr 3,462.40kr
2 - 2 2,631.42kr 3,289.28kr
3 - 4 2,492.93kr 3,116.16kr
5 - 9 2,354.43kr 2,943.04kr
10 - 14 2,299.03kr 2,873.79kr
15 - 19 2,243.63kr 2,804.54kr
20+ 2,215.93kr 2,769.91kr
Kvantitet U.P
1 - 1 2,769.92kr 3,462.40kr
2 - 2 2,631.42kr 3,289.28kr
3 - 4 2,492.93kr 3,116.16kr
5 - 9 2,354.43kr 2,943.04kr
10 - 14 2,299.03kr 2,873.79kr
15 - 19 2,243.63kr 2,804.54kr
20+ 2,215.93kr 2,769.91kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

FS75R12KE3GBOSA1. C(tum): 5300pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Märkning på höljet: FS75R12KE3G. Mått: 122x62x17.5mm. Pd (effektförlust, max): 355W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42us. Td(på): 26us. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Antal terminaler: 35. obs: 6x IGBT+ CE Diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.