Transistorer

Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 47 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Märkning på höljet: 5N120BND. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 182 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Funktion: HA, hi-def. obs: 0.2. Spec info: MONITOR

Antal per fodral: 1. Funktion: HA, hi-def. obs: 0.2. Spec info: MONITOR. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 47. Minsta hFE-förstärkning: 29. Kollektorström: 7A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 10V. Spec info: "Epitaxiell plan transistor"

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 160...320. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126ML. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) HSB1109

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 160...320. Kollektorström: 3A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: Oisolerat hölje. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(tum): 250pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75307D. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 250pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75307D. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3200pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 105 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75344 G. Pd (effektförlust, max): 285W. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3200pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 105 ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75344 P. Pd (effektförlust, max): 285W. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3790pF. Kostnad): 810pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 145 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75645 P. Pd (effektförlust, max): 310W. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3790pF. Kostnad): 810pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 145 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75645 S. Pd (effektförlust, max): 310W. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 41 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AB ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 850pF. Kostnad): 465pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 58 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 76121D. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 45 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: HUF76145P3. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 110 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 135 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 270W. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorström: 15A. obs: trefas AC-motordrivare. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (effektförlust, max): 29W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 750 ns. Td(på): 600 ns. Teknik: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorström: 20A. obs: trefas AC-motordrivare. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (effektförlust, max): 29W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 650 ns. Td(på): 970 ns. Teknik: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G03H1202. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 281 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. Maximal kollektorström (A): 9.9A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: IGBT transistor. Dräneringskälla spänning: 1200V. Kollektorström: 50A. Effekt: 326W. Hölje: TO-247AC

C(tum): 4620pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 140A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Märkning på höljet: G75H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Leveranstid: KB. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 265 ns. Td(på): 31 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1165pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Märkning på höljet: H15R1203. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 254W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.48V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.75V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1340pF. Kostnad): 43pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 90 ns. Funktion: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: H20MR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 288W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 350 ns. Td(på): 260 ns. Teknik: TRENCHSTOP TM technology. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.55V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.75V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1500pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Inductive?cooking. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: H20R1353. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 405 ns. Td(på): 335 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1360pF. Kostnad): 43pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: H20PR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 288W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 235 ns. Teknik: TRENCHSTOP TM technology. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1460pF. Kostnad): 78pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: H20T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 178W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS