Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20T120

N-kanals transistor, 20A,  TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20T120
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 94.92kr 118.65kr
2 - 2 90.18kr 112.73kr
3 - 4 88.28kr 110.35kr
5 - 9 85.43kr 106.79kr
10 - 19 83.53kr 104.41kr
20 - 29 80.69kr 100.86kr
30 - 126 77.84kr 97.30kr
Kvantitet U.P
1 - 1 94.92kr 118.65kr
2 - 2 90.18kr 112.73kr
3 - 4 88.28kr 110.35kr
5 - 9 85.43kr 106.79kr
10 - 19 83.53kr 104.41kr
20 - 29 80.69kr 100.86kr
30 - 126 77.84kr 97.30kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 126
Set med 1

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20T120. N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1460pF. Kostnad): 78pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 178W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 11:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.