Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 68.06kr | 85.08kr |
2 - 2 | 64.65kr | 80.81kr |
3 - 4 | 61.25kr | 76.56kr |
5 - 9 | 57.85kr | 72.31kr |
10 - 19 | 56.49kr | 70.61kr |
20 - 29 | 55.13kr | 68.91kr |
30 - 32 | 53.09kr | 66.36kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 68.06kr | 85.08kr |
2 - 2 | 64.65kr | 80.81kr |
3 - 4 | 61.25kr | 76.56kr |
5 - 9 | 57.85kr | 72.31kr |
10 - 19 | 56.49kr | 70.61kr |
20 - 29 | 55.13kr | 68.91kr |
30 - 32 | 53.09kr | 66.36kr |
IHW20N135R3. C(tum): 1500pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Inductive?cooking. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: H20R1353. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 405 ns. Td(på): 335 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.