Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 60.30kr | 75.38kr |
2 - 2 | 57.29kr | 71.61kr |
3 - 4 | 54.27kr | 67.84kr |
5 - 9 | 51.26kr | 64.08kr |
10 - 19 | 50.05kr | 62.56kr |
20 - 29 | 48.84kr | 61.05kr |
30 - 90 | 47.03kr | 58.79kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 60.30kr | 75.38kr |
2 - 2 | 57.29kr | 71.61kr |
3 - 4 | 54.27kr | 67.84kr |
5 - 9 | 51.26kr | 64.08kr |
10 - 19 | 50.05kr | 62.56kr |
20 - 29 | 48.84kr | 61.05kr |
30 - 90 | 47.03kr | 58.79kr |
HGTG5N120BND. Kanaltyp: N. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Märkning på höljet: 5N120BND. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 182 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.