Transistorer

Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX551. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 300mA. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX451. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 50pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 240 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.23V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 30pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,9V. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX753. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX790

Kostnad): 30pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,9V. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.17V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX653. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZTX758. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 0.5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,9V. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 150. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 1.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX690

Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 300. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 4A. Pd (effektförlust, max): 1.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat) 0,95V

Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Mycket låg mättnad VBE(sat)0,92V. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 1.58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVN3306F. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 35pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (max): 0.18A. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Resistans Rds På: 10 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVP2110A. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 12 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 100pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVP3306F. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Drain-source spänning Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.0V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 298pF. Kostnad): 35pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0uA. Pd (effektförlust, max): 2W. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.5 ns. Td(på): 1.9 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 70V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS