Transistorer

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

C(tum): 2600pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Märkning på höljet: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: Fälteffekt POWER MOS-typ (MOSVII). Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 800pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Märkning på höljet: K6A60D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 1 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVI). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1050pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 470pF. Kostnad): 13pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 230 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: för switchade spänningsregulatorer. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 10uA. Märkning på höljet: TK7P60W. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET (DTMOSIV). Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1350pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (max): 10uA. Märkning på höljet: K8A65D. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSVII). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10U1B. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 0.3A. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: 9.31k Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 240V. Antal per fodral: 1

Funktion: SAMSUNG 0505-001417. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SMD SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 1A. Effekt: 1W. Hölje: TO-92

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 3A. Effekt: 0.75W. Hölje: TO-92

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7150pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6435pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 47 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4456pF. Maximal förlust Ptot [W]: 107W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5022pF. Maximal förlust Ptot [W]: 107W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 56 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6870pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: PDFN56. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 78 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6253pF. Maximal förlust Ptot [W]: 136W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 745pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 0.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 562pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet.. Max hFE-förstärkning: 15. Minsta hFE-förstärkning: 4. Kollektorström: 18A. Ic(puls): 35A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Tf(max): 0.2us. Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-diod: ja

Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Vbe(sat)1.5V. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 80pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 80pF. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 65W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Märkning på höljet: H21. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*. Hölje (enligt datablad): EMT6. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. obs: screentryck/SMD-kod H21

Märkning på höljet: H9C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*. Hölje (enligt datablad): EMT6. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. obs: screentryck/SMD-kod H9C