Transistorer

Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 6B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 180pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 0.2W. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 6D. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: INFI->PANAS. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

C(tum): 75pF. Kostnad): 15pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 1.6mm. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (max): 0.47A. Pd (effektförlust, max): 1W. Resistans Rds På: 3 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB10N07. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 900ns. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB14N04. Drain-source spänning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 120ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 500 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB35N07-E. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 200 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 800 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNB49N04. Drain-source spänning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 600 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 2400 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 75uA. IDss (min): 30uA. Pd (effektförlust, max): 7W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 45V. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 1NV04P

Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 125 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Helt autoskyddad kraftmofet. G-S Skydd: Zenerdiod. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 230 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: OMNIFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 70V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Linjär strömbegränsning

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Helt autoskyddad kraftmofet. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 50uA. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 0.05 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: OMNIFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 70V. Maximal förlust Ptot [W]: 83W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): MOSFET. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNP35N07. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 200 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 100 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Används för: Ilim= 35A IR= -50A. Spänning Vds(max): 70V. Vin ingångsspänning (max): 18V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNP5N07-E. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 107ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 75uA. IDss (min): 30uA. obs: screentryck/SMD-kod S3NV04DP. Märkning på höljet: S3NV04DP. Pd (effektförlust, max): 4W. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 450 ns. Td(på): 90 ns. Teknik: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 45V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 53 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 193 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2940pF. Maximal förlust Ptot [W]: 277W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 130A. Effekt: 260W. Resistans Rds På: 0.0055 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 100V

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 200A. Effekt: 260W. Resistans Rds På: 0.0029 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: P. Max dräneringsström: 30A. Effekt: 125W. Resistans Rds På: 0.056 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): -100V

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 70A. Effekt: 125W. Resistans Rds På: 0.0086 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 100V

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Advanced Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Spänning: 60V. Max hFE-förstärkning: 100 (500mA, 2V). Kollektorström: 100nA (ICBO). Antal terminaler: 8. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 2.75W. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SM-8. Typ av transistor: PNP & PNP. Driftstemperatur: -55°C ~ 150°C. Antal per fodral: 2. Mättnadsspänning VCE(lat): 500mV (200mA, 2A)

Kostnad): 120pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 1200. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.03V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2000. Funktion: unijunction transistor UJT, hi-beta, lo-sat. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX788. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PLANAR TRANSISTOR. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementär transistor (par) ZTX550. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS