Transistorer

Hölje: TO-220. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -5A. Effekt: 75W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122

BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kostnad): 300pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Spec info: komplementär transistor (par) TIP122G. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP127. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP132. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 15000. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP137

Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Kostnad): 70pF. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 8A. Max hFE-förstärkning: 15000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 12V. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP132. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 60pF. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Motstånd B: Darlington Power Transistor. C(tum): 100V. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) TIP147. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) TIP147T. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP147. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 500. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142T. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -10A. Effekt: 125W. Hölje: TO-3P

Hölje: TO-247. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP2955. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Kollektorström: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. Vebo: 7V. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -15A. Effekt: 90W. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. obs: komplementär transistor (par) TIP3055. Spec info: Låg kollektor-emitter-mättnadsspänning

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP30. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 7V. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 90W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) TIP2955. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Låg kollektor-emitter-mättnadsspänning

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 24. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 5A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP32C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 160pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP31C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP34C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-247. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP33C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kollektorström: 25A. Hölje: TO-247. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Produktionsdatum: 1450. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 50A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 125W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP36C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP35CG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): 45pF. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP33C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 50A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP35C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP36CG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kostnad): 80pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP42C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 6A. Effekt: 65W. Hölje: TO-220

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) TIP41C. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Effekt: 65W

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -6A. Effekt: 65W. Hölje: TO-220