Transistorer

C(tum): 1110pF. Kostnad): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P9NK90Z. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 94pF. Kostnad): 17.6pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 135 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 1NK60ZR. Pd (effektförlust, max): 3W. Resistans Rds På: 13 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammopak. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, ESD-förbättrad kapacitet. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 30V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

Kanaltyp: N. Funktion: 2xN-CH 60V. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: STripFET™ Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

Funktion: STripFET™ II Power MOSFET. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 20V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

Kanaltyp: N-P. Funktion: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (effektförlust, max): 11W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Dual E nhancement Mode Fälteffekttransistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4. obs: Dual E nhancement Mode Fälteffekttransistor

Kanaltyp: N-P. Pd (effektförlust, max): 11W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4

C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W10NK60Z. Pd (effektförlust, max): 156W. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W10NK80Z. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W10NK80Z. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 3500pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 560 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: extremt hög dv/dt-kapacitet, Switching applications. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W11NK100Z. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 98 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 1000V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W11NK100Z. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 98 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 3000pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 584 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W11NK90Z. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.82 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 76 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMesh PpwerMOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. G-S Skydd: ja

C(tum): 2620pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 635 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK80Z. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 3500pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 964ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK90Z. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 88 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Hölje: TO-247. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 50mA. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: W13NK60Z. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 61 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 13A. Effekt: 150W. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Antal terminaler: 3. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Drain-source spänning (Vds): 600V. G-S Skydd: ja

C(tum): 2000pF. Kostnad): 238pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50mA. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: W14NK50Z. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". G-S Skydd: ja

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 15A. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Effekt: 350W. Hölje: TO-247. Drain-source spänning (Vds): 900V

C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Märkning på höljet: 18NM80. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W20NK50Z. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 30

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: W20NM50FD. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1380pF. Maximal förlust Ptot [W]: 214W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1450pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W20NM60. Pd (effektförlust, max): 214W. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1800pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 26NM60N. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. RoHS: ja. Vikt: 4.51g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1440pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 28N65M2. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 59 ns. Td(på): 13.4 ns. Teknik: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja