Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 55.83kr | 69.79kr |
5 - 9 | 53.04kr | 66.30kr |
10 - 24 | 50.25kr | 62.81kr |
25 - 45 | 47.46kr | 59.33kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 55.83kr | 69.79kr |
5 - 9 | 53.04kr | 66.30kr |
10 - 24 | 50.25kr | 62.81kr |
25 - 45 | 47.46kr | 59.33kr |
STW11NK100Z. C(tum): 3500pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 560 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: extremt hög dv/dt-kapacitet, Switching applications. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W11NK100Z. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 98 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 1000V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.