IRFPG50

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	60.50kr	75.63kr
2 - 2	57.47kr	71.84kr
3 - 4	54.45kr	68.06kr
5 - 9	51.43kr	64.29kr
10 - 19	50.22kr	62.78kr
20 - 29	49.01kr	61.26kr
30 - 52	47.19kr	58.99kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	60.50kr	75.63kr
2 - 2	57.47kr	71.84kr
3 - 4	54.45kr	68.06kr
5 - 9	51.43kr	64.29kr
10 - 19	50.22kr	62.78kr
20 - 29	49.01kr	61.26kr
30 - 52	47.19kr	58.99kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 52

Set med 1

IRFPG50. C(tum): 2800pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 1000V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!