Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 57.94kr | 72.43kr |
5 - 9 | 55.05kr | 68.81kr |
10 - 20 | 52.15kr | 65.19kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 57.94kr | 72.43kr |
5 - 9 | 55.05kr | 68.81kr |
10 - 20 | 52.15kr | 65.19kr |
STW12NK90Z. C(tum): 3500pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 964ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK90Z. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 88 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 23:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.