STW12NK80Z

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	53.16kr	66.45kr
5 - 9	50.51kr	63.14kr
10 - 24	47.85kr	59.81kr
25 - 29	45.19kr	56.49kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	53.16kr	66.45kr
5 - 9	50.51kr	63.14kr
10 - 24	47.85kr	59.81kr
25 - 29	45.19kr	56.49kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 29

Set med 1

STW12NK80Z. C(tum): 2620pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 635 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättrad ESD-kapacitet. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W12NK80Z. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET-transistor skyddad av zenerdiod. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: "EXTREMT HÖG DV/DT-KAPABILITET". Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!