STQ1NK60ZR-AP

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	9.69kr	12.11kr
5 - 9	9.21kr	11.51kr
10 - 24	8.72kr	10.90kr
25 - 49	8.24kr	10.30kr
50 - 99	8.04kr	10.05kr
100 - 249	7.85kr	9.81kr
250 - 1934	6.80kr	8.50kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	9.69kr	12.11kr
5 - 9	9.21kr	11.51kr
10 - 24	8.72kr	10.90kr
25 - 49	8.24kr	10.30kr
50 - 99	8.04kr	10.05kr
100 - 249	7.85kr	9.81kr
250 - 1934	6.80kr	8.50kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 1934

Set med 1

STQ1NK60ZR-AP. C(tum): 94pF. Kostnad): 17.6pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 135 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 1NK60ZR. Pd (effektförlust, max): 3W. Resistans Rds På: 13 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammopak. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, ESD-förbättrad kapacitet. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!