Transistorer

C(tum): 2400pF. Kostnad): 650pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W34NB20. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.62 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 17 ns. Td(på): 30 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Switch Mode Power Supplies SMPS, DC-AC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 35A. Pd (effektförlust, max): 255W. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MDmesh II. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Funktion: Idm--140Ap(pulsed). Antal per fodral: 1

C(tum): 4300pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 43NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 255W. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh II. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Lågt gate-ingångsmotstånd. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3800pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 508 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: W45NM60. Pd (effektförlust, max): 417W. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1250pF. Kostnad): 128pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 22.4A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1154pF. Kostnad): 106pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 605 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W5NK100Z. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 2.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 51.5 ns. Td(på): 22.5 ns. Teknik: SuperMESH3™ Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 1000V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 1350pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W7NK90Z. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: W9NK90Z. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: HIGH SWITCH. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Spec info: Hög hastighet. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 15A. Pd (effektförlust, max): 37W. Resistans Rds På: 0.05 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 7 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 60V. Antal terminaler: 3. Teknik: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SUP53P06-20. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 104W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SUP75N03-04. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 190 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10742pF. Maximal förlust Ptot [W]: 187W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 3535pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 41 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 78W. Resistans Rds På: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: TrenchFET® Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Strömförsörjning, DC/DC-omvandlare. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -20V. Kollektorström: -1A. Effekt: 1W. Hölje: TO-92

Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -45V. Kollektorström: -1A. Effekt: 0.8W. Hölje: TO-92

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Kollektorström: 7A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: ISOWATT218. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1

C(tum): 5500pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 240A. Ic(puls): 240A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 46 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F-3FS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 430V. Grind/sändarspänning VGE: 33V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Olika: blixt, stroboskopkontroll. Teknik: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-motstånd: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Funktion: switching, ljudförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) TIP107. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Funktion: switching, ljudförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) TIP102. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. obs: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Kostnad): 2pF. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. obs: >1000. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP120. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP122. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: kisel. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) TIP127

Motstånd B: ja. BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(tum): TO-220. Kostnad): 200pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: +150°C. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Spec info: komplementär transistor (par) TIP127G. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C