Transistorer

C(tum): 1180pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 110us. Diod tröskelspänning: 1.3V. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 115W. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 690pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P36NF06. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 27 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P36NF06L. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 60.4k Ohms

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 2.9A. Pd (effektförlust, max): 80W. Resistans Rds På: 4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 600V

C(tum): 400pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NB60. Pd (effektförlust, max): 80W. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 11 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 440pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 10.4A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 90W. Resistans Rds På: 4.6 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 3.5A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PowerMESH III. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 900V

Kanaltyp: N. Hölje: TO-220FP. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 2.4A. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Pd (effektförlust, max): 20W. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Drain-source spänning (Vds): 600V

C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 590pF. Kostnad): 63pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 4.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 700pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 3 Ohms. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Spänning Vds(max): 800V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 700pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 3 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P4NK50Z. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 310pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 1.76 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 3 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperMESH. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor

C(tum): 3050pF. Kostnad): 380pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NE06. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 130W. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 30 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1300pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 75 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NF06. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 20 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1700pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P55NF06L. Pd (effektförlust, max): 95W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40ms. Td(på): 20ms. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P5NK100Z. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1154pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 690pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 485 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+ °C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja

C(tum): 910pF. Kostnad): 98pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK80Z. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P5NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 4.3A. Effekt: 110W. Hölje: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Drain-source spänning (Vds): 800V. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja

C(tum): 1810pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 73ms. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -65...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Kostnad): 360pF. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS