Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 15.48kr | 19.35kr |
5 - 9 | 14.70kr | 18.38kr |
10 - 24 | 13.93kr | 17.41kr |
25 - 49 | 13.15kr | 16.44kr |
50 - 54 | 12.84kr | 16.05kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 15.48kr | 19.35kr |
5 - 9 | 14.70kr | 18.38kr |
10 - 24 | 13.93kr | 17.41kr |
25 - 49 | 13.15kr | 16.44kr |
50 - 54 | 12.84kr | 16.05kr |
STP3NB60. C(tum): 400pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NB60. Pd (effektförlust, max): 80W. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 11 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.