Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

STP3NK80Z

STP3NK80Z
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 11.15kr 13.94kr
5 - 9 10.59kr 13.24kr
10 - 24 10.03kr 12.54kr
25 - 49 9.48kr 11.85kr
50 - 82 9.25kr 11.56kr
Kvantitet U.P
1 - 4 11.15kr 13.94kr
5 - 9 10.59kr 13.24kr
10 - 24 10.03kr 12.54kr
25 - 49 9.48kr 11.85kr
50 - 82 9.25kr 11.56kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 82
Set med 1

STP3NK80Z. C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.