Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 11.15kr | 13.94kr |
5 - 9 | 10.59kr | 13.24kr |
10 - 24 | 10.03kr | 12.54kr |
25 - 49 | 9.48kr | 11.85kr |
50 - 82 | 9.25kr | 11.56kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 11.15kr | 13.94kr |
5 - 9 | 10.59kr | 13.24kr |
10 - 24 | 10.03kr | 12.54kr |
25 - 49 | 9.48kr | 11.85kr |
50 - 82 | 9.25kr | 11.56kr |
STP3NK80Z. C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.