Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

STP3NB80

STP3NB80
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 23.47kr 29.34kr
5 - 9 22.29kr 27.86kr
10 - 12 21.12kr 26.40kr
Kvantitet U.P
1 - 4 23.47kr 29.34kr
5 - 9 22.29kr 27.86kr
10 - 12 21.12kr 26.40kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 12
Set med 1

STP3NB80. C(tum): 440pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 10.4A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 90W. Resistans Rds På: 4.6 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 82
STP3NK80Z

STP3NK80Z

C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av tra...
STP3NK80Z
C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja
STP3NK80Z
C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja
Set med 1
13.94kr moms incl.
(11.15kr exkl. moms)
13.94kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.