Transistorer

C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK60Z. Pd (effektförlust, max): 115W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 1370pF. Kostnad): 156pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK80Z. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Zenerdiodskydd. G-S Skydd: ja

C(tum): 2180pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P10NK80ZFP. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P10NK80ZFP. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1250pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 42.8A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: Viso 2000VDC. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P11NK40Z. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 930pF. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1000pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1000pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 850pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 612 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: P11NM80. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: MDmesh MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5200pF. Kostnad): 785pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 152 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P120NF10. Pd (effektförlust, max): 312W. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 132 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 550V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50FP. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 550V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 790pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 460pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P14NF12. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 120V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2000pF. Kostnad): 238pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P14NK50ZFP. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Zenerdiodskydd. G-S Skydd: ja

C(tum): 315pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P16NF06. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 7 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Exceptionell dv/dt-kapacitet, låg grindladdning. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 345pF. Kostnad): 72pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Low Gate Charge. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5100pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 200N4F3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 3m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: STripFET™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: byte, bilapplikationer. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGHdv/dtCAP. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: II Power Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. obs: Low Gate Charge

C(tum): 1300pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 192W. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Låg portkapacitans. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1500pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FP. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh™ MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 870pF. Kostnad): 125pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100us. Diod tröskelspänning: 1.5V. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P24NF10. Pd (effektförlust, max): 85W. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1800pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 26NM60N. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS