STP20NM60FD

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	70.31kr	87.89kr
2 - 2	66.80kr	83.50kr
3 - 4	63.28kr	79.10kr
5 - 9	59.76kr	74.70kr
10 - 19	58.36kr	72.95kr
20 - 29	56.95kr	71.19kr
30 - 43	54.84kr	68.55kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	70.31kr	87.89kr
2 - 2	66.80kr	83.50kr
3 - 4	63.28kr	79.10kr
5 - 9	59.76kr	74.70kr
10 - 19	58.36kr	72.95kr
20 - 29	56.95kr	71.19kr
30 - 43	54.84kr	68.55kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 43

Set med 1

STP20NM60FD. C(tum): 1300pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 192W. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Låg portkapacitans. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!