Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 70.31kr 87.89kr
2 - 2 66.80kr 83.50kr
3 - 4 63.28kr 79.10kr
5 - 9 59.76kr 74.70kr
10 - 19 58.36kr 72.95kr
20 - 29 56.95kr 71.19kr
30 - 33 54.84kr 68.55kr
Kvantitet U.P
1 - 1 70.31kr 87.89kr
2 - 2 66.80kr 83.50kr
3 - 4 63.28kr 79.10kr
5 - 9 59.76kr 74.70kr
10 - 19 58.36kr 72.95kr
20 - 29 56.95kr 71.19kr
30 - 33 54.84kr 68.55kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 33
Set med 1

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD. N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 192W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Låg portkapacitans. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 17:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.