STP13NM60N

STP13NM60N. C(tum): 790pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.