STP200N4F3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	89.86kr	112.33kr
2 - 2	85.37kr	106.71kr
3 - 4	80.88kr	101.10kr
5 - 9	76.38kr	95.48kr
10 - 19	74.59kr	93.24kr
20 - 29	72.79kr	90.99kr
30+	70.09kr	87.61kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	89.86kr	112.33kr
2 - 2	85.37kr	106.71kr
3 - 4	80.88kr	101.10kr
5 - 9	76.38kr	95.48kr
10 - 19	74.59kr	93.24kr
20 - 29	72.79kr	90.99kr
30+	70.09kr	87.61kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

STP200N4F3. C(tum): 5100pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 200N4F3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 3m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: STripFET™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: byte, bilapplikationer. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!