Transistorer

C(tum): 510pF. Kostnad): 47pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (max): 4A. Märkning på höljet: D4NK60Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 1.76 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 545pF. Kostnad): 45pF. Kanaltyp: N. Antal kanaler: 1. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 5uA. Märkning på höljet: 5N52K3. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: SuperMESH3™ Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 525V. Port-/källspänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Växla applikationer, grindladdning minimerad, låg IDSS. Spec info: Enhancement type. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 529pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: N. Antal kanaler: 1. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 5N52U. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 1.25 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23.1 ns. Td(på): 11.4 ns. Teknik: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 525V. Port-/källspänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Byte av applikationer, portladdning minimerad. Spec info: Enhancement type. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kostnad): 24.6pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 213 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 7NM60N. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.84 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. C(tum): 363pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Pd (effektförlust, max): 460W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Elektrisk isolering: 2500V (AC-RMS). Td(på): 46 ns. Teknik: PowerMesh II MOSFET. Tf (typ): 38 ns. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Tr: 70 ns. Driftstemperatur: -65...150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: ±30V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja

C(tum): 850pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 870pF. Kostnad): 50pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13N80K5. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 790pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1000pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 18NM60. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 485pF. Kostnad): 57pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F5NK100Z. Drain-source spänning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1154pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 2115pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 950 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F9NK90Z. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 452pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 324 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100mA. IDss (min): 1mA. Märkning på höljet: 9NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.63 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52.5 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 26A. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 610pF. Kostnad): 65pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: ljusdimmer, Statiskt relä, Motordrivrutin. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 7A. Märkning på höljet: GF10NB60SD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 1.2 ns. Td(på): 0.7 ns. Teknik: PowerMESH IGBT. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Lågt spänningsfall (VCE(sat)). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 380pF. Kostnad): 46pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Funktion: Högfrekventa motorkontroller. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 30A. Ic(T=100°C): 10A. Märkning på höljet: GP10NC60KD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 17 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Kortslutningsmotståndstid 10us. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2200pF. Kostnad): 225pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 44 ns. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: GW20NC60VD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 31 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: högfrekvensväxelriktare, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2510pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Produktionsdatum: 201509. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 135A. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: GW30NC120HD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 220W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 275 ns. Td(på): 29 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.75V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 4550pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Högfrekvent drift upp till 50KHz. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Märkning på höljet: GW40NC60V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 260W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 43 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1350pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: snabb effekt MOSFET transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: H8NA60FI. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: "Förbättringsläge". Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: Viso 4000V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 150pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4NF20L. Pd (effektförlust, max): 3.3W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10.4 ns. Td(på): 2 ns. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 4. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: N83003. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 1000. Spec info: komplementär transistor (par) STN93003. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 215pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Lågspänningssnabbväxlande NPN-effekttransistor. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.32V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 1000. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 0.5A. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: N9260. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 150 ns. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: PNP. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 7V. Funktion: högspänningssnabbväxling, PNP-effekttransistor. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 4. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: N93003. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 1000. Spec info: komplementär transistor (par) STN83003. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 5955pF. Kostnad): 244pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 38 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: 100N8F6. Pd (effektförlust, max): 176W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 103 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: STripFET™ F6 technology. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 80V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS