Transistorer

C(tum): 750pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". Id(imp): 22.8A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 08N50C3. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 560V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 215pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dv/dt-klassat förbättringsläge. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: SPD09N05. Pd (effektförlust, max): 24W. Resistans Rds På: 0.093 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1

C(tum): 790pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 32 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 112A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: 28N03L. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 12 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: SIPMOS Power Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1

C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N60C3. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 85m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N80C3. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 785pF. Kostnad): 33pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 06N80C3. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 30pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 750 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". Produktionsdatum: 2015/05. Id(imp): 14.6A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 07N60S5. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 120ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1100pF. Kostnad): 46pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: 08N60C3. Pd (effektförlust, max): 104W. Resistans Rds På: 0.56 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): PG-TO220-3. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 10N10. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 426pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1200pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 11N60C3. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1460pF. Kostnad): 610pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 650ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: 11N60S5. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 130 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 11A. Pd (effektförlust, max): 156W. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Funktion: ID pulse 33A. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: SPP17N80C2. Pd (effektförlust, max): 208W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

C(tum): 2320pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 17N80C3. Pd (effektförlust, max): 208W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 77 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 230pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dv/dt-klassat förbättringsläge. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 18P06P. Pd (effektförlust, max): 81W. Resistans Rds På: 0.102 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

C(tum): 2400pF. Kostnad): 780pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 62.1A. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 20N60C3. Pd (effektförlust, max): 208W. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 67 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): P-TO220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3000pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 20N60S5. Pd (effektförlust, max): 208W. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 120ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N06L11. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 68 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 158W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N60C3. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 11N80C3. Pd (effektförlust, max): 156W. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2320pF. Kostnad): 1250pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 17N80C3. Pd (effektförlust, max): 208W. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 77 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N60C3. Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 208W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 20A. Effekt: 208W. Resistans Rds På: 0.19 Ohms. Hölje: PG-TO247 HV. Drain-source spänning (Vds): 600V