Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

SPP06N80C3

SPP06N80C3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 34.31kr 42.89kr
5 - 9 32.59kr 40.74kr
10 - 24 30.88kr 38.60kr
25 - 26 29.16kr 36.45kr
Kvantitet U.P
1 - 4 34.31kr 42.89kr
5 - 9 32.59kr 40.74kr
10 - 24 30.88kr 38.60kr
25 - 26 29.16kr 36.45kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 26
Set med 1

SPP06N80C3. C(tum): 785pF. Kostnad): 33pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 06N80C3. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.