Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 34.31kr | 42.89kr |
5 - 9 | 32.59kr | 40.74kr |
10 - 24 | 30.88kr | 38.60kr |
25 - 26 | 29.16kr | 36.45kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 34.31kr | 42.89kr |
5 - 9 | 32.59kr | 40.74kr |
10 - 24 | 30.88kr | 38.60kr |
25 - 26 | 29.16kr | 36.45kr |
SPP06N80C3. C(tum): 785pF. Kostnad): 33pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 06N80C3. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.