SPD08P06P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	14.86kr	18.58kr
5 - 9	14.12kr	17.65kr
10 - 24	13.37kr	16.71kr
25 - 49	12.63kr	15.79kr
50 - 92	12.33kr	15.41kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	14.86kr	18.58kr
5 - 9	14.12kr	17.65kr
10 - 24	13.37kr	16.71kr
25 - 49	12.63kr	15.79kr
50 - 92	12.33kr	15.41kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 92

Set med 1

SPD08P06P. C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!