SPP04N60C3XKSA1

SPP04N60C3XKSA1. C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N80C3. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 09:25.