Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 57.65kr | 72.06kr |
5 - 9 | 54.77kr | 68.46kr |
10 - 24 | 51.89kr | 64.86kr |
25 - 49 | 49.00kr | 61.25kr |
50 - 99 | 47.85kr | 59.81kr |
100 - 118 | 44.97kr | 56.21kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 57.65kr | 72.06kr |
5 - 9 | 54.77kr | 68.46kr |
10 - 24 | 51.89kr | 64.86kr |
25 - 49 | 49.00kr | 61.25kr |
50 - 99 | 47.85kr | 59.81kr |
100 - 118 | 44.97kr | 56.21kr |
SPP17N80C2. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: SPP17N80C2. Pd (effektförlust, max): 208W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 09:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.