Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 29.34kr | 36.68kr |
5 - 9 | 27.87kr | 34.84kr |
10 - 12 | 26.41kr | 33.01kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 29.34kr | 36.68kr |
5 - 9 | 27.87kr | 34.84kr |
10 - 12 | 26.41kr | 33.01kr |
SPP18P06P. C(tum): 230pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dv/dt-klassat förbättringsläge. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 18P06P. Pd (effektförlust, max): 81W. Resistans Rds På: 0.102 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 09:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.