Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 69.52kr | 86.90kr |
2 - 2 | 66.05kr | 82.56kr |
3 - 4 | 62.57kr | 78.21kr |
5 - 9 | 59.10kr | 73.88kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 69.52kr | 86.90kr |
2 - 2 | 66.05kr | 82.56kr |
3 - 4 | 62.57kr | 78.21kr |
5 - 9 | 59.10kr | 73.88kr |
SPW11N80C3. C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 11N80C3. Pd (effektförlust, max): 156W. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 09:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.