SPP20N60C3

SPP20N60C3. C(tum): 2400pF. Kostnad): 780pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 62.1A. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 20N60C3. Pd (effektförlust, max): 208W. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 67 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): P-TO220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.