SPP08P06P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	27.13kr	33.91kr
5 - 9	25.78kr	32.23kr
10 - 24	24.42kr	30.53kr
25 - 49	23.06kr	28.83kr
50 - 99	22.52kr	28.15kr
100 - 249	21.98kr	27.48kr
250+	20.89kr	26.11kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	27.13kr	33.91kr
5 - 9	25.78kr	32.23kr
10 - 24	24.42kr	30.53kr
25 - 49	23.06kr	28.83kr
50 - 99	22.52kr	28.15kr
100 - 249	21.98kr	27.48kr
250+	20.89kr	26.11kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

SPP08P06P. C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): PG-TO220-3. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!