P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V - SPP08P06P

P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V - SPP08P06P. P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): PG-TO220-3. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 01:25.