Transistorer

Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 20V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

C(tum): 985pF. Kostnad): 205pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 14 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Högsidesbrytare". Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 196k Ohms. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 29.8W. Resistans Rds På: 0.0075 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: modul. Konfiguration: Skruvad. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SK85MH10. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 120ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 570 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9100pF. Komponentfamilj: full MOSFET-brygga, NMOS. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C

C(tum): 5000pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hög effekt IGBT. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Antal terminaler: 7. RoHS: ja. Td(av): 450 ns. Td(på): 30 ns. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. obs: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 23.1pF. Kostnad): 1.9pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hög effekt IGBT. Kollektorström: 470A. Ic(puls): 600A. Ic(T=100°C): 330A. Mått: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 650 ns. Td(på): 330 ns. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1100pF. Kostnad): 107pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Funktion: Snabb S-IGBT i NPT-teknik. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 179W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 445 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. CE-diod: ja

C(tum): 1150pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 280 ns. Funktion: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Kollektorström: 46A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: K25N120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 313W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 730 ns. Td(på): 45 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. CE-diod: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Maximal kollektorström (A): 112A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 106 ns. Td(på): 16 ns. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V

C(tum): 11pF. Kostnad): 1.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.5A. Märkning på höljet: s1D. Pd (effektförlust, max): 0.36W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Funktion: högspänningsförstärkare, SMD-version av MPSA42. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) SMBTA92. Spec info: screentryck/SMD-kod S1D. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A6A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.24W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

C(tum): 8180pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ökad MOSFET dv/dt robusthet . Id(imp): 267A. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 5uA. Märkning på höljet: 6R041P6. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 481W. Resistans Rds På: 0.041 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 29 ns. Teknik: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Märkning på höljet: TB. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.017...0.025 Ohms

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SP8M4FU6TB. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

C(tum): 490pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 04N60C3. Pd (effektförlust, max): 31W. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 790pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 07N60C3. Pd (effektförlust, max): 32W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220 (PG-TO220FP). Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 07N60C3. Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.9V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 60 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 790pF. Maximal förlust Ptot [W]: 32W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1100pF. Kostnad): 46pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: 08N60C3. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.56 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1200pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: isolerat hölje (2500VAC, 1 min). Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning pÃ¥ höljet: 11N65C3. Pd (effektförlust, max): 33W. Resistans Rds PÃ¥: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: GenomgÃ¥ende hÃ¥lmontering pÃ¥ kretskort. Td(av): 44 ns. Td(pÃ¥): 10 ns. Teknik: Cool MOSâ„¢ Power Transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 11N80C3. Pd (effektförlust, max): 41W. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1600pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 16N50C3. Pd (effektförlust, max): 34W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 560V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Exceptionell dv/dt-kapacitet. obs: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 32A. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.028 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SIPMOS Power Transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Märkning på höljet: 56N03L. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SIPMOS Power Transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1

C(tum): 4480pF. Kostnad): 1580pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 195 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Förbättringsläge". Id(imp): 320A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N04H4. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 46 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS