Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 19.12kr | 23.90kr |
5 - 9 | 18.16kr | 22.70kr |
10 - 24 | 17.21kr | 21.51kr |
25 - 49 | 16.25kr | 20.31kr |
50 - 58 | 15.87kr | 19.84kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 19.12kr | 23.90kr |
5 - 9 | 18.16kr | 22.70kr |
10 - 24 | 17.21kr | 21.51kr |
25 - 49 | 16.25kr | 20.31kr |
50 - 58 | 15.87kr | 19.84kr |
SPB80N04S2-H4. C(tum): 4480pF. Kostnad): 1580pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 195 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Förbättringsläge". Id(imp): 320A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N04H4. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 46 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 09:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.