Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 12.07kr | 15.09kr |
5 - 9 | 11.47kr | 14.34kr |
10 - 24 | 11.11kr | 13.89kr |
25 - 49 | 10.86kr | 13.58kr |
50 - 99 | 10.62kr | 13.28kr |
100 - 249 | 10.31kr | 12.89kr |
250 - 535 | 9.99kr | 12.49kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 12.07kr | 15.09kr |
5 - 9 | 11.47kr | 14.34kr |
10 - 24 | 11.11kr | 13.89kr |
25 - 49 | 10.86kr | 13.58kr |
50 - 99 | 10.62kr | 13.28kr |
100 - 249 | 10.31kr | 12.89kr |
250 - 535 | 9.99kr | 12.49kr |
P-kanal transistor, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - STD10P6F6. P-kanal transistor, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 60V. RoHS: ja. C(tum): 340pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 10P6F6. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 64 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: Låg grindladdning STRipFET™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 07/06/2025, 22:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.