FDD5690

FDD5690. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDD5690. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1110pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.