Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 19.63kr | 24.54kr |
5 - 9 | 18.65kr | 23.31kr |
10 - 24 | 17.67kr | 22.09kr |
25 - 49 | 16.69kr | 20.86kr |
50 - 82 | 16.30kr | 20.38kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 19.63kr | 24.54kr |
5 - 9 | 18.65kr | 23.31kr |
10 - 24 | 17.67kr | 22.09kr |
25 - 49 | 16.69kr | 20.86kr |
50 - 82 | 16.30kr | 20.38kr |
FDD6635. C(tum): 1400pF. Kostnad): 317pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 59A. Märkning på höljet: FDD6635. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 55W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 08:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.