STB120N4F6

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	30.59kr	38.24kr
5 - 9	29.06kr	36.33kr
10 - 24	27.53kr	34.41kr
25 - 49	26.00kr	32.50kr
50 - 99	25.39kr	31.74kr
100 - 249	23.13kr	28.91kr
250 - 293	21.99kr	27.49kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	30.59kr	38.24kr
5 - 9	29.06kr	36.33kr
10 - 24	27.53kr	34.41kr
25 - 49	26.00kr	32.50kr
50 - 99	25.39kr	31.74kr
100 - 249	23.13kr	28.91kr
250 - 293	21.99kr	27.49kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 293

Set med 1

STB120N4F6. C(tum): 3850pF. Kostnad): 650pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 120N4F6. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 3.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: STripFET™ VI Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Funktion: Byte av applikationer, Automotive. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!