Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

RFD8P05SM

RFD8P05SM
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 23.34kr 29.18kr
5 - 9 22.17kr 27.71kr
10 - 24 21.01kr 26.26kr
25 - 49 19.84kr 24.80kr
50 - 99 19.37kr 24.21kr
100 - 146 18.18kr 22.73kr
Kvantitet U.P
1 - 4 23.34kr 29.18kr
5 - 9 22.17kr 27.71kr
10 - 24 21.01kr 26.26kr
25 - 49 19.84kr 24.80kr
50 - 99 19.37kr 24.21kr
100 - 146 18.18kr 22.73kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 146
Set med 1

RFD8P05SM. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 125us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D8P05. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Power MOSFET MegaFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 50V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 02:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 92
SPD08P06P

SPD08P06P

C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60us. Typ av transistor: MOSFET. Id(im...
SPD08P06P
C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S Skydd: NINCS
SPD08P06P
C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
18.58kr moms incl.
(14.86kr exkl. moms)
18.58kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.