SKW30N60HS

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	85.51kr	106.89kr
2 - 2	81.23kr	101.54kr
3 - 4	76.95kr	96.19kr
5 - 9	72.68kr	90.85kr
10 - 14	70.97kr	88.71kr
15 - 19	69.26kr	86.58kr
20 - 154	66.69kr	83.36kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	85.51kr	106.89kr
2 - 2	81.23kr	101.54kr
3 - 4	76.95kr	96.19kr
5 - 9	72.68kr	90.85kr
10 - 14	70.97kr	88.71kr
15 - 19	69.26kr	86.58kr
20 - 154	66.69kr	83.36kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 154

Set med 1

SKW30N60HS. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Maximal kollektorström (A): 112A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 106 ns. Td(på): 16 ns. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 09:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!